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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3017
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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