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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
26
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
20
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3410
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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