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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2502
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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