RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
53
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
53
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2319
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link