RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
57
En 54% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
57
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2253
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link