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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2434
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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