RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
26
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
19
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3220
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link