RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2609
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link