RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2633
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link