RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
3726
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link