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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
44
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
1660
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
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