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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
2767
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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