RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
57
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
57
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
2377
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link