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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
2852
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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