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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
3208
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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