RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
3567
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link