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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
28
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
3355
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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