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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
3372
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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