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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
78
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
78
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2113
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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