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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2283
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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