RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2462
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link