RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2466
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link