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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
47
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2875
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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