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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
31
En -41% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2340
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
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