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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2999
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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