RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
3085
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link