RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
5.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
5.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
1967
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link