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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
33
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2876
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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