RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
32
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
3851
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link