RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
47
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2308
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link