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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
57
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
57
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2377
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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