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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
62
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
62
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
1808
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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