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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
1967
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905316-175.A00LF 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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