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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
2292
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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