RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
2292
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link