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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Compara
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2644
3393
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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