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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Compara
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
60
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
60
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
6.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2644
1400
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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