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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Compara
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En -21% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2644
2202
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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