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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Compara
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Puntuación global
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
29
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
2553
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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