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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Compara
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
32
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
2349
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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