RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.8
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2904
3458
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link