RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2904
2711
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link