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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
11.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
22.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
3792
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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