RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
2740
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link