RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
2220
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link