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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
36
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
11.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
21
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
3427
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
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