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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
2870
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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