RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En -50% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
1983
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link