RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
34
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3318
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link