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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3733
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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