RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3890
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link